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(311) DEFECTS IN ION-IMPLANTED SILICON: THE CAUSE OF TRANSIENT DIFFUSION, AND A MECHANISM FOR DISLOCATION FORMATION / EAGLESHAM, D.J.// STOLK, P.A.// CHENG, J.Y.// GOSSMANN, H.J.// POATE, J.M.// HAYNES, T.E. (OAK RIDGE NATIONAL LAB., TN (UNITED STATES)// AT AND T BELL LABS., MURRAY HILL, NJ (UNITED STATES))
(CONF ; CONF-9503125-4)

データ種別	レポート
出版年	1995
本文言語	英語
大きさ	8
レポート番号	CONF-9503125-4