OPAC

中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造機能拡充のための外部冷却法対応設備の製作(共同研究) / 広瀬彰 [ほか]
(JAEA-Technology ; 2006-059)

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(東海)旧館2F閲覧室(レポート)			3300464884

別書名	Development of the external cooling device to increase the Productivity of Neutron-Transmutation-Doped Silicon Semiconductor (NTD-Si) (Joint research)
著者標目	広瀬, 彰 <ヒロセ, アキラ> 和田, 茂 <ワダ, シゲル> 笹島, 文雄 <ササジマ, フミオ> 楠, 剛 <クスノキ, ツヨシ> 亀山, 巌 <カメヤマ, イワオ> 会澤, 良二 <Aizawa, Ryoji> 菊池, 直之 <Kikuchi, Naoyuki>
書誌ID	1000986020
URL1	https://doi.org/10.11484/jaea-technology-2006-059