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中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造用JRR-3高性能シリコン照射装置の概念設計 / 広瀬 彰, 和田 茂, 楠 剛
(JAEA-Technology ; 2007-033)

データ種別	レポート
出版者	: 日本原子力研究開発機構
出版年	2007
本文言語	日本語
大きさ	93
レポート番号	JAEA-TECHNOLOGY-2007-033
別書名	Conceptual design of JRR-3 automated silicon irradiation device for Neutron-Transmutation-Doped Silicon Semiconductor (NTD-Si) production
著者標目	広瀬, 彰 <ヒロセ, アキラ> 和田, 茂 <ワダ, シゲル> 楠, 剛 <クスノキ, ツヨシ>
書誌ID	1000986056
URL1	https://doi.org/10.11484/jaea-technology-2007-033

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