OPAC

k$_{0}$法に基づく中性子放射化分析法を用いた高純度チタン及び炭化ケイ素(SiC)の不純物元素の分析; 研究炉を用いたシリコン照射の生産性向上に関する技術開発(共同研究) / 本橋純/高橋広幸/他
(JAEA-Technology ; 2009-036)

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別書名	Quantitative analyses of impurity silicon-carbide (SiC) and high-purity-titanium by neutron activation analyses based on k$_{0}$ standardization method; Development of irradiation silicon technology in productivity using research reactor (Joint research)
著者標目	本橋, 純 <モトハシ, ジュン> 高橋, 広幸 <タカハシ, ヒロユキ> 馬籠, 博克 <マゴメ, ヒロカツ> 笹島, 文雄 <ササジマ, フミオ> 徳永, 興公 <Tokunaga, Okihiro> 川崎, 幸三 <カワサキ, コウゾウ> 鬼沢, 孝治 <Onizawa, Koji> 一色, 正彦 <イッシキ, マサヒコ>
書誌ID	1000986224
URL1	https://doi.org/10.11484/jaea-technology-2009-036