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シリコン窒化膜のγ線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析 / 大西 一功 [ほか]
(JAERI-Research ; 95-090)
| データ種別 | レポート |
|---|---|
| 出版者 | : 日本原子力研究所 |
| 出版年 | 1996 |
| 本文言語 | 日本語 |
| 大きさ | 46 p. |
| レポート番号 | JAERI-RESEARCH-95-090 |
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| 配架場所 | 巻 次 | 請求記号 | 登録番号 | 状 態 | コメント | ISBN | 刷 年 | 利用注記 | 予約 | 複写取寄 | 指定図書 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (東海)新館2Fマイクロ室(マイクロフィッシュ) |
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R0903963 |
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禁帯出 |
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書誌詳細を非表示
| 別書名 | Evaluation of number of hole-electron pairs induced by irradiation in silicon-nitride layers and analysis of charge trapping mechanisms in metal-insulator-semiconductor structure with silicon-nitride layers |
|---|---|
| 著者標目 | 大西, 一功 <オオニシ, カズノリ> 高橋, 芳浩 <タカハシ, ヨシヒロ> 小松, 茂 <コマツ, シゲル> 吉川, 正人 <ヨシカワ, マサヒト> |
| 書誌ID | 1000998962 |
| URL1 | https://jopss.jaea.go.jp/search/servlet/search?2076224 |
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