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EFFECTS OF NUCLEAR RADIATION ON A HIGH RELIABILITY SILICON POWER DIODE 3: JUNCTION CAPACITANCE. / BEEN,J.F.
(NASA technical note ; D-6330)

データ種別 レポート
出版者 : National Aeronautics and Space Administration(National Aeronautics and Space Administration)
本文言語 英語
大きさ 19
レポート番号 NASA-TN-D-6330

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(東海)新館2Fマイクロ室(マイクロフィッシュ)

R0299778


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著者標目 BEEN,J.F.
書誌ID 1001123125