The retention characteristics of nonvolatile SNOS memory transistors in a radiation environment: Experiment and model / McWhorter, P.J., Miller, S.L., Dellin, T.A., Axness, C.L.
(Sandia report ; SAND-87-0299C; CONF-870724-9; DE87005857; TRN: 87-023732)
データ種別 | レポート |
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出版者 | Albuquerque, NM (USA) : Sandia National Labs. |
出版年 | 1987.1 |
本文言語 | 英語 |
大きさ | 5P |
レポート番号 | SAND-87-0299C; CONF-870724-9; DE87005857; TRN: 87-023732 |
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配架場所 | 巻 次 | 請求記号 | 登録番号 | 状 態 | コメント | ISBN | 刷 年 | 利用注記 | 予約 | 複写取寄 | 指定図書 |
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(東海)新館2Fマイクロ室(マイクロフィッシュ) |
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R2131001463 |
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禁帯出 |
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著者標目 | McWhorter, P.J. Miller, S.L. Dellin, T.A. Axness, C.L. |
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書誌ID | 1001400145 |
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